bob88综合体育:森国科碳化硅MOSFET-KM040120R的优势

发布时间：2024-02-18 07:14:56 来源：BOB手机客户端登录入口 作者：bob手机APP下载

  半导体企业和产业、学术、科研、投资界代表出席，一同探讨新环境、新业态下全球半导体产业，向全球业界呈现一场集行业交流、渠道联动、资源

  大会围绕“世界芯，未来梦”展开，邀请到了南京市人大常委会副主任、党组副书记罗群，江苏省工业信息化厅副厅长池宇，中国半导体行业协会副理事长于燮康，中国欧盟商会南京分会董事会副主席单建华出席开幕式并致辞，美国信息产业机构(USITO)总裁Christopher Millward也通过视频为大会远程致辞。在创新峰会上发布了“2022年度集成电路市场与应用领先企业”和“2022年度集成电路优秀产品与解决方案”等重磅奖项。森国科凭借极具核心竞争力的碳化硅功率器件产品荣获“2021-2022年度中国半导体市场最佳碳化硅功率器件产品奖”。

  得益于多年的产品研发沉淀与技术积累，森国科成为了国内为数不多的可以独立完成碳化硅芯片设计的企业之一，掌握了从器件原理、器件结构设计、器件性能模拟、器件的工艺设计、器件测试等全流程的技术。该款碳化硅MOSFET-KM040120R采用了业内领先的第三代碳化硅芯片技术，具有高沟道迁移率低导通电阻的优势。

  结构设计上，采用平面栅的结构，减小栅氧电场，逐步提升MOSFET的栅氧可靠性，提升器件的鲁棒性能和长期可靠性;

  开关特性上，优化了器件的layout布局和器件，可大大降低器件的开通损耗;

  可靠性测试方面，严格按照工业级和车规级的可靠性测试要求做，顺利通过了1000小时的可靠性测试。

  在代工流片上，森国科一直和X-FAB保持着良好的合作伙伴关系。X-FAB作为全球公认第一的拥有特色工艺的代工厂，在半导体制造领域有超过三十年的经验，拥有行业内领先的6寸碳化硅晶圆生产线，工艺稳定，因而代工的器件品质良率较高!截止到目前，双方已合作量产的碳化硅功率器件可大范围的应用在快充、电源、光伏、储能、新能源汽车等领域，拥有了超过200多家的客户。

  森国科一直秉承着开发最合适的功率器件的宗旨，实现用户多样化的应用场景需求。未来，也将会不忘初心，专注于提升设计能力，不断寻求突破技术壁垒，发挥工匠精神与创新精神，为更多消费级、工业级、车规级用户带来高质量的功率器件产品，践行全球实现碳中和、碳达峰的伟大目标。

  文章出处：【微信号：SGKS2016，微信公众号：森国科】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

  尖峰的抑制 /

  的体二极管虽然也存在反向恢复行为，但是其反向恢复电流相对IGBT或超结

  具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中

  。02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响（1）双脉冲测试时的重要需要注意的几点---电流探头的相位

  对于驱动的要求也不同于传统硅器件，大多数表现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个

  的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它

  （SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC明显降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC

  (silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥

  产业链介绍 /

  网格结构，压接引脚可以在整个封装内自由分布。广泛的仿线nH换向电感的半桥设计。该模块并联配备 6 个

  ，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面

  【星嵌-XQ138F-试用连载体验】ARM驱动开发示例，LED亮灭，以及内核编译。

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